NTMFS4C35NT1G
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NTMFS4C35NT1G
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 780mW (Ta), 33W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | NTMFS4C35NT1G-ND NTMFS4C35NT1GOSTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12.4A (Ta) |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.495
- 200 pcs$0.191
- 500 pcs$0.185
- 1500 pcs$0.182
Les prix ci-dessus sont exclusifs des taxes et des frais d'expédition. Le prix exact est soumis à l'offre finale
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