NTMFS4C35NT1G
NTMFS4C35NT1G
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 780mW (Ta), 33W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
Altri nomi | NTMFS4C35NT1G-ND NTMFS4C35NT1GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 12.4A (Ta) 780mW (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.4A (Ta) |
RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.495
- 200 pcs$0.191
- 500 pcs$0.185
- 1500 pcs$0.182
I prezzi di cui sopra sono esclusivi delle tasse e delle spese di spedizione. Il prezzo esatto è soggetto all'offerta finale
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