SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
Fabricant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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La description | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Package composant fournisseur | 6-TSOP |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Puissance - Max | 830mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms | SI3911DV-T1-E3CT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.8A |
Numéro de pièce de base | SI3911 |
RFQ |
Citation requise
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