SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 450mV @ 250µA (Min) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
電力 - 最大 | 830mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | SI3911DV-T1-E3CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.8A |
ベース部品番号 | SI3911 |
RFQ |
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