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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC013ZMT2L

DTC013ZMT2L

DTC013ZMT2L
LAPIS Semiconductor

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DTC013ZMT2L

FabricantLAPIS Semiconductor
La descriptionTRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur VMT3
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 1 kOhms
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-723
Autres noms DTC013ZMT2LTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

VMT3 T2L Taping Spec

DTC013Z Series

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:49715
  • 5 pcs$0.087
  • 50 pcs$0.071
  • 150 pcs$0.063
  • 500 pcs$0.057
  • 2500 pcs$0.053
  • 5000 pcs$0.05

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