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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DTC013ZMT2L

DTC013ZMT2L

DTC013ZMT2L
LAPIS Semiconductor

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DTC013ZMT2L

FabricanteLAPIS Semiconductor
DescriçãoTRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor VMT3
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Power - Max 150mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-723
Outros nomes DTC013ZMT2LTR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição 250MHz
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

VMT3 T2L Taping Spec

DTC013Z Series

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:49715
  • 5 pcs$0.087
  • 50 pcs$0.071
  • 150 pcs$0.063
  • 500 pcs$0.057
  • 2500 pcs$0.053
  • 5000 pcs$0.05

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