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7164S35DB

7164S35DB
IDT (Integrated Device Technology)

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7164S35DB

fabbricanteIDT (Integrated Device Technology)
DescrizioneIC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP
CategoriaCircuiti integrati (ICS)
Stato Lead senza piombo / RoHSContiene piombo / RoHS non conforme
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 35ns
Tensione di alimentazione - 4.5 V ~ 5.5 V
Tecnologia SRAM - Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore 28-CerDip
Serie -
imballaggio Tube
Contenitore / involucro 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
Altri nomi IDT7164S35DB
IDT7164S35DB-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TA)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CerDip
Tempo di accesso 35ns

IDT7164S,L

IDT Suffixes

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:1139
  • 169 pcs$21.209

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