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7164S35DB

7164S35DB
IDT (Integrated Device Technology)

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7164S35DB

メーカーIDT (Integrated Device Technology)
説明IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態リード/ RoHS非対応
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 35ns
電源電圧 - 4.5 V ~ 5.5 V
技術 SRAM - Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ 28-CerDip
シリーズ -
パッケージング Tube
パッケージ/ケース 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
他の名前 IDT7164S35DB
IDT7164S35DB-ND
運転温度 -55°C ~ 125°C (TA)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メモリタイプ Volatile
記憶容量 64Kb (8K x 8)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 SRAM
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明 SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CerDip
アクセス時間 35ns

IDT7164S,L

IDT Suffixes

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:1139
  • 169 pcs$21.209

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