SIE854DF-T1-E3
SIE854DF-T1-E3
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 10-PolarPAK® (L) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V |
電力消費(最大) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 10-PolarPAK® (L) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3100pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
RFQ |
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