SIE854DF-T1-E3
SIE854DF-T1-E3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 10-PolarPAK® (L) |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | 10-PolarPAK® (L) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100V |
Descrição detalhada | N-Channel 100V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
RFQ |
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