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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > SMUN5111T1G

SMUN5111T1G

SMUN5111T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMUN5111T1G

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungTRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse SC-70-3 (SOT323)
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Leistung - max 202mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen SMUN5111T1G-ND
SMUN5111T1GOSTR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer MUN51**T

MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:1015
  • 1 pcs$0.035
  • 10 pcs$0.028
  • 30 pcs$0.025
  • 100 pcs$0.023
  • 600 pcs$0.021
  • 1200 pcs$0.02

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