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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > SMUN5111T1G

SMUN5111T1G

SMUN5111T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMUN5111T1G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323)
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 202mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms SMUN5111T1G-ND
SMUN5111T1GOSTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN51**T

MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:1015
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  • 10 pcs$0.028
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  • 100 pcs$0.023
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