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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > SMUN5111T1G

SMUN5111T1G

SMUN5111T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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SMUN5111T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SC-70-3 (SOT323)
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 202mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323
Otros nombres SMUN5111T1G-ND
SMUN5111T1GOSTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base MUN51**T

MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:1015
  • 1 pcs$0.035
  • 10 pcs$0.028
  • 30 pcs$0.025
  • 100 pcs$0.023
  • 600 pcs$0.021
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