MT29E3T08EUHBBM4-3:B
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B
| Hersteller | Micron Technology |
|---|---|
| Beschreibung | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ |
| Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Bleifreier Status / RoHS Status | |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
| Spannungsversorgung | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Serie | - |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speichergröße | 3Tb (384G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | FLASH |
| detaillierte Beschreibung | FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz |
| Uhrfrequenz | 333MHz |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1120 pcs$342.523
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- Micron Technology MT29E3T08EUHBBM4-3:B
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