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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

メーカーMicron Technology
説明IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
電源電圧 - 2.5 V ~ 3.6 V
技術 FLASH - NAND
シリーズ -
運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
メモリタイプ Non-Volatile
記憶容量 3Tb (384G x 8)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 FLASH
詳細な説明 FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz
クロック周波数 333MHz
RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:2707
  • 1120 pcs$342.523

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MT29E3T08EUHBBM4-3:B関連の発表

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