MT29E3T08EUHBBM4-3:B
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B
| Fabricant | Micron Technology |
|---|---|
| La description | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) |
| État sans plomb / État RoHS | |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 2.5 V ~ 3.6 V |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Séries | - |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Taille mémoire | 3Tb (384G x 8) |
| Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | FLASH |
| Description détaillée | FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz |
| Fréquence d'horloge | 333MHz |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 1120 pcs$342.523
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