FDD7N60NZTM
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FDD7N60NZTM
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
Categoría | Productos semiconductores discretos |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | D-Pak |
Serie | UniFET-II™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 90W (Tc) |
embalaje | Original-Reel® |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Otros nombres | FDD7N60NZTMDKR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 23 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
Descripción detallada | N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
RFQ |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 1 pcs$1.499
- 10 pcs$1.304
- 30 pcs$1.184
- 100 pcs$1.059
- 500 pcs$0.949
- 1000 pcs$0.924
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