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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDD7N60NZTM

FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak
Séries UniFET-II™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms FDD7N60NZTMDKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:24773
  • 1 pcs$1.499
  • 10 pcs$1.304
  • 30 pcs$1.184
  • 100 pcs$1.059
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