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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > FDD7N60NZTM

FDD7N60NZTM

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FDD7N60NZTM

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±25V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D-Pak
연속 UniFET-II™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
전력 소비 (최대) 90W (Tc)
포장 Original-Reel®
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 FDD7N60NZTMDKR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 23 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 730pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V
상세 설명 N-Channel 600V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D-Pak
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A (Tc)

FDD7N60NZ, FDU7N60NZTU

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:24773
  • 1 pcs$1.499
  • 10 pcs$1.304
  • 30 pcs$1.184
  • 100 pcs$1.059
  • 500 pcs$0.949
  • 1000 pcs$0.924

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