NSVDTA114EET1G
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NSVDTA114EET1G
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| La description | TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | SC-75, SOT-416 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 200mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-75, SOT-416 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 5 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
|
MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3 RFQ |
|
Prix de référence (en dollars américains)
- 1 pcs$0.157
- 10 pcs$0.129
- 30 pcs$0.117
- 100 pcs$0.102
- 500 pcs$0.095
- 1000 pcs$0.084
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