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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > NSVDTA114EET1G

NSVDTA114EET1G

NSVDTA114EET1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVDTA114EET1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoTRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-75, SOT-416
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Power - Max 200mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-75, SOT-416
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:145
  • 1 pcs$0.157
  • 10 pcs$0.129
  • 30 pcs$0.117
  • 100 pcs$0.102
  • 500 pcs$0.095
  • 1000 pcs$0.084

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