NSVDTA114EET1G
NSVDTA114EET1G
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Potenza - Max | 200mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SC-75, SOT-416 |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 5 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3 RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 1 pcs$0.157
- 10 pcs$0.129
- 30 pcs$0.117
- 100 pcs$0.102
- 500 pcs$0.095
- 1000 pcs$0.084
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