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70V3379S6BF8

70V3379S6BF8
IDT (Integrated Device Technology)

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70V3379S6BF8

fabbricanteIDT (Integrated Device Technology)
DescrizioneIC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA
CategoriaCircuiti integrati (ICS)
Stato Lead senza piombo / RoHSContiene piombo / RoHS non conforme
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 208-CABGA (15x15)
Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 208-LFBGA
Altri nomi IDT70V3379S6BF8
IDT70V3379S6BF8-ND
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 576Kb (32K x 18)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (32K x 18) Parallel 6ns 208-CABGA (15x15)
Numero di parte base IDT70V3379
Tempo di accesso 6ns

IDT70V3379S

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:482
  • 1000 pcs$45.614

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