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70V3379S6BF8

70V3379S6BF8
IDT (Integrated Device Technology)

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70V3379S6BF8

メーカーIDT (Integrated Device Technology)
説明IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA
プロダクト集積回路 (ic)
フリーステータス/ RoHS状態リード/ RoHS非対応
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
電源電圧 - 3.15 V ~ 3.45 V
技術 SRAM - Dual Port, Synchronous
サプライヤデバイスパッケージ 208-CABGA (15x15)
シリーズ -
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 208-LFBGA
他の名前 IDT70V3379S6BF8
IDT70V3379S6BF8-ND
運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile
記憶容量 576Kb (32K x 18)
メモリインタフェース Parallel
メモリ形式 SRAM
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
詳細な説明 SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (32K x 18) Parallel 6ns 208-CABGA (15x15)
ベース部品番号 IDT70V3379
アクセス時間 6ns

IDT70V3379S

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:482
  • 1000 pcs$45.614

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