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70V3379S6BF8

70V3379S6BF8
IDT (Integrated Device Technology)

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70V3379S6BF8

제조사IDT (Integrated Device Technology)
기술IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA
범주집적회로 (ic)
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 비 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 3.15 V ~ 3.45 V
과학 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous
제조업체 장치 패키지 208-CABGA (15x15)
연속 -
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 208-LFBGA
다른 이름들 IDT70V3379S6BF8
IDT70V3379S6BF8-ND
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
메모리 유형 Volatile
메모리 크기 576Kb (32K x 18)
메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 SRAM
제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명 SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (32K x 18) Parallel 6ns 208-CABGA (15x15)
기본 부품 번호 IDT70V3379
액세스 시간 6ns

IDT70V3379S

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:482
  • 1000 pcs$45.614

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