RN1102CT(TPL3)
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RN1102CT(TPL3)
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | CST3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 50mW |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-101, SOT-883 |
| Andere Namen | RN1102CT(TPL3)TR |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 20 pcs$0.032
- 200 pcs$0.026
- 600 pcs$0.022
- 2000 pcs$0.02
- 8000 pcs$0.019
- 16000 pcs$0.018
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Einführung von RN1102CT(TPL3)
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