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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1102CT(TPL3)

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescriçãoTRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 20V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor CST3
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Power - Max 50mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SC-101, SOT-883
Outros nomes RN1102CT(TPL3)TR
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 50mA

RN1101CT-06CT

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:25662
  • 20 pcs$0.032
  • 200 pcs$0.026
  • 600 pcs$0.022
  • 2000 pcs$0.02
  • 8000 pcs$0.019
  • 16000 pcs$0.018

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