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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1102CT(TPL3)

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
La descriptionTRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur CST3
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 50mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-101, SOT-883
Autres noms RN1102CT(TPL3)TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50mA

RN1101CT-06CT

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

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