RN1102CT(TPL3)
RN1102CT(TPL3)
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
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La description | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | CST3 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 50mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-101, SOT-883 |
Autres noms | RN1102CT(TPL3)TR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |
RFQ |
Prix de référence (en dollars américains)
- 20 pcs$0.032
- 200 pcs$0.026
- 600 pcs$0.022
- 2000 pcs$0.02
- 8000 pcs$0.019
- 16000 pcs$0.018
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