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RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1102CT(TPL3)

fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescrizioneTRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore CST3
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 50mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-101, SOT-883
Altri nomi RN1102CT(TPL3)TR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 50mA

RN1101CT-06CT

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:25662
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