FJV3111RMTF
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FJV3111RMTF
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries | - |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Puissance - Max | 200mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing RFQ |
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