FJV3111RMTF
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FJV3111RMTF
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 40V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Potenza - Max | 200mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 250MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing RFQ |
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