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FJV3111RMTF

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FJV3111RMTF

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 40V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式 NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ -
抵抗器 - ベース（R1） 22 kOhms
電力 - 最大 200mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 100 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

FJV3111R

Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing

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FJV3111RMTF関連の発表

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