FJV3111RMTF
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FJV3111RMTF
제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
범주 | 이산 반도체 제품 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 40V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 1mA, 10mA |
트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
연속 | - |
저항기 -베이스 (R1) | 22 kOhms |
전력 - 최대 | 200mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 250MHz |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 1mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing RFQ |
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