RN1109(T5L,F,T)
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RN1109(T5L,F,T)
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | SSM |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | SC-75, SOT-416 |
| Autres noms | RN1109(T5LFT)CT |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
Citation requise
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