RN1109(T5L,F,T)
RN1109(T5L,F,T)
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrição | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SSM |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Power - Max | 100mW |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | SC-75, SOT-416 |
Outros nomes | RN1109(T5LFT)CT |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição | 250MHz |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RFQ |
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