RN1109(T5L,F,T)
RN1109(T5L,F,T)
fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | SSM |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Potenza - Max | 100mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | SC-75, SOT-416 |
Altri nomi | RN1109(T5LFT)CT |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 250MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
RFQ |
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