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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1109(T5L,F,T)

fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescrizioneTRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SSM
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 100mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416
Altri nomi RN1109(T5LFT)CT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

RN1107,8,9

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