RN1109(T5L,F,T)
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RN1109(T5L,F,T)
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 説明 | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 250µA, 5mA |
| トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
| サプライヤデバイスパッケージ | SSM |
| シリーズ | - |
| 抵抗器ベース（R2） | 22 kOhms |
| 抵抗器 - ベース（R1） | 47 kOhms |
| 電力 - 最大 | 100mW |
| パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 |
| 他の名前 | RN1109(T5LFT)CT |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | 250MHz |
| 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 70 @ 10mA, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100mA |
| RFQ | |
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