NSBC123EF3T5G
NSBC123EF3T5G
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS DUAL NPN |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-1123 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 254mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-1123 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 8 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 8000 pcs$0.111
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Einführung von NSBC123EF3T5G
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