NSBC123EF3T5G
NSBC123EF3T5G
Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrição | TRANS PREBIAS DUAL NPN |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-1123 |
Série | - |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Power - Max | 254mW |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-1123 |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx RFQ |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 8000 pcs$0.111
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