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NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBC123EF3T5G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoTRANS PREBIAS DUAL NPN
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor SOT-1123
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Power - Max 254mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-1123
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:213922
  • 8000 pcs$0.111

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