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NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBC123EF3T5G

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneTRANS PREBIAS DUAL NPN
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-1123
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 254mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-1123
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:213922
  • 8000 pcs$0.111

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