NSBC123EF3T5G
NSBC123EF3T5G
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | TRANS PREBIAS DUAL NPN |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-1123 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Potenza - Max | 254mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-1123 |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx RFQ |
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
- 8000 pcs$0.111
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