NSBC123EF3T5G
NSBC123EF3T5G
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | TRANS PREBIAS DUAL NPN |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SOT-1123 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 254mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-1123 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx RFQ |
Prix de référence (en dollars américains)
- 8000 pcs$0.111
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