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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBC123EF3T5G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS PREBIAS DUAL NPN
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-1123
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 254mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-1123
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:213922
  • 8000 pcs$0.111

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