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NSBC123EF3T5G

NSBC123EF3T5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSBC123EF3T5G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS PREBIAS DUAL NPN
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 5mA, 10mA
トランジスタ型式 NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ SOT-1123
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 2.2 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 2.2 kOhms
電力 - 最大 254mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-1123
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 8 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:213922
  • 8000 pcs$0.111

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